解决计划
IGBT与三代半导体SiC双脉冲测试计划
计划简介：日前，，，，，，，基于SiC和GaN的第三代半导体手艺蓬勃生长，，，，，，，其对应的分立器件性能测试需求也随之而来。。。。。。其较高的dv/dt与di/dt给性能测试带了不少难题。。。。。。泰克的TIVP系列光隔离探头，，，，，，，以其优越的160dB共模抑制比，，，，，，，超低的前端电容，，，，，，，富厚的毗连方法，，，，，，，搭配便捷的AFG31000双脉冲输出功效，，，，，，，加速三代半导体测试流程。。。。。。
三代半导体由于其宽禁带所带来的，，，，，，，低驱动电压，，，，，，，低开关消耗等特点，，，，，，，有着光伏，，，，，，，风电，，，，，，，特高压传输，，，，，，，储能，，，，，，，新能源汽车等普遍的应用市场
作为主要的开关器件，，，，，，，三代半导体也延续了以往的IGBT测试历程中需要思量的主要参数，，，，，，，如开关，，，，，，，导通，，，，，，，关断情形下的电压电流以及消耗等。。。。。。除了上下管Vgs测试以外，，，，，，，即是双脉冲测试，，，，，，，它主要用以权衡开启参数，，，，，，，关闭参数，，，，，，，反向恢复参数等
双脉冲测试中差别部分器件的事情状态：
- 初始长脉宽，，，，，，，在负载电感器中建设起电流，，，，，，，最大值抵达所要求的电流值
- 关断，，，，，，，在diode中爆发电流，，，，，，，该电流与电感电流一致，，，，，，，因而整体体现为电流零位
- 窄脉冲，，，，，，，由于diode的恢复，，，，，，，会在起始位置造成电流过冲，，，，，，，故爆发尖峰
在测试历程中，，，，，，，Gate驱动电压，，，，，，，要求为两个一连脉宽可调的脉冲串。。。。。。一样平常需要专门设计驱动 ？？？？？？？？椋，，，，并对其对应的功效举行编辑设计，，，，，，，本钱较高，，，，，，，且参数修改操作繁琐重大。。。。。。； ；；；蛘呤褂肁FG加隔离驱动电路的方法，，，，，，，可是古板的AFG基础功效智能天生脉宽稳固的脉冲串，，，，，，，参数可调的脉冲串需要通过电脑软件编辑的方法来实现。。。。。。泰克AFG31000完善的解决了上述的问题，，，，，，，其开创性的在仪器上内嵌了双脉冲编辑器，，，，，，，利便快捷的完成双脉冲参数设置和调解。。。。。。
在完成驱动电压的双脉冲设置之后，，，，，，，之后即是Vgs的丈量，，，，，，，由于SiC单管高达800V的Vds电压，，，，，，，导致上管保存很高的浮地电压。。。。。。由于Gate电压往往在十几V左右，，，，，，，因此对差分探头的共模抑制比提出了很高的要求。。。。。。
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若 100 V 共模电压, 20 dB (既10:1)共模抑制比 100MHz
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泰克 TIVP系列光隔离探头拥有卓越的共模抑制比，，，，，，，高达160dB，，，，，，，纵然在100M的测试频率下依旧可以稳固在120dB，，，，，，，既1000000：1的误差。。。。。。若以共模电压1000V举例，，，，，，，其测试时引入的误差仅为1mV
输入电容＜3pF
共模电压＞±60KV
丈量规模至3.3KV（需添加对应衰减毗连器）
TIVP探头与LeCroyDA1855A的共模抑制比比照
几种常见的Vgs测试比照，，，，，，，其中TPP1000为下管电压测试，，，，，，，途中可以显着看出光隔离塔头的振铃以及畸变要小的多。。。。。。
双脉冲测试，，，，，，，除了要对Vgs，，，，，，，Vds电压考量外，，，，，，，还需要对Ids举行考量。。。。。。
关于以SiC以及GaN为衬底的三代半导体器件，，，，，，，其di/dt可能会高达几十千A/us，，，，，，，对电流探头的带宽有了新的要求。。。。。。由于其需要测试开关的整个动态响应历程，，，，，，，要求电流探头需从DC起，，，，，，，至丈量要求带宽。。。。。。Shunt测试要领，，，，，，，可以实现很高的测试带宽，，，，，，，可是由于有较高的共模电压，，，，，，，因此一致受制于共模抑制比，，，，，，，泰克光隔离探头的泛起则完善的解决类似的问题。。。。。。
Shunt 与罗氏线圈测试比照
另外由于超高的开关速率，，，，，，，体现在信号上既为更快的信号，，，，，，，更高的带宽要求，，，，，，，其对探头与DUT之间的毗连，，，，，，，也有了更高的要求。。。。。。
古板毗连方法
差别线缆长度对测试效果的影响
泰克光隔离探头使用MMCX接口毗连器，，，，，，，能够降低毗连引入的噪声，，，，，，，还原真实的丈量效果
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